產(chǎn)品描述：
碳化硅(SiC) MOSFET使用一種全新技術(shù)，與硅相比，該技術(shù)提供了卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。
Model Name | Current | R(on) | Vgs | Package | Status |
| ASC50N3300MT4 | 60A | 58mohm | 18V | TO-247-4 | Product |
| ASC20N3300MT4 | 20A | 160mohm | 18V | TO-247-4 | Product |
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